Szilícium-karbid-gyártó ipar

Összehasonlítvaszilícium alapúfélvezető anyagok, a szilícium-karbid (SiC) által képviselt harmadik generációs félvezető anyagok számos előnnyel rendelkeznek, mint például a nagy áttörési elektromos tér, a nagy telített elektronsodródási sebesség és a nagy hővezető képesség.

A szilícium-karbid erőgépeket főként nagy teljesítményű területeken használják, mint például az új energiahordozó járművek, a fotovoltaikus energiatárolás, a vasúti tranzit és más területeken, különösen a járművek területén. A következő néhány évben az olyan alkalmazások, mint a fedélzeti fő inverterek és a töltőmodulok, továbbra is nagy sebességgel fognak növekedni.

Jelenleg a hazai vállalkozások felgyorsították beléptetésüket a szilícium-karbid-ipari láncba, és felgyorsultak a tőkekiadások, ami az ipari lánc összes láncszemének gyors növekedését eredményezte.

A Yole jelentése szerint a szilícium-karbid erőgépek piacának mérete 2027-ben meghaladja majd a 6 milliárd dollárt, az összetett éves növekedési ütem pedig meghaladja a 30%-ot.

A szilícium-karbid alapú teljesítményAz eszközipari lánc főként a felfelé irányuló szilícium-karbid szubsztrátum előkészítést, az epitaxiális réteg növekedését, a középső eszközgyártást és a későbbi alkalmazási piacokat foglalja magában.

A szubsztrátum-előkészítési folyamat főként a nagy tisztaságú szénpor és a nagy tisztaságú szilíciumpor szilícium-karbid porrá történő szintetizálására irányul. Speciális hőmérsékleti mező mellett a fizikai gőzátviteli módszert (PVT-módszer) főként különböző méretű szilícium-karbid kristály rúd termesztésére használják, és a szilícium-karbid szubsztrátot több folyamat után állítják elő.

Az epitaxiális kapcsolat főként a szilícium-karbid szubsztrátumon van, az epitaxiális lapot pedig a hordozó felületén alakítják ki kémiai gőzlerakódás (CVD) módszerrel.

Ezek közül a szilícium-karbid epitaxiális lemezt szilícium-karbid epitaxiális réteg növesztésével állítják elő vezetőképes szilícium-karbid hordozóra, amely tovább alakítható erőgépekké, és alkalmazható új energetikai járművekben, fotovoltaikus, vasúti tranzitban, intelligens hálózatban, repülési és egyéb területeken. A szilícium alapú gallium-nitrid (GaN-on-SiC) epitaxiális lapot félig szigetelt szilícium-karbid hordozóra gallium-nitrid epitaxiális réteg növesztésével állítják elő, amelyet tovább lehet készíteni mikrohullámú rádiófrekvenciás eszközökké és alkalmazni az 5G kommunikációs terekben.

A szilícium-karbid eszközök gyártási költségszerkezetéből a hordozó költsége a legnagyobb, 47%-ot tesz ki; A második a kiterjesztett költség, amely 23%-ot tesz ki. Ez a két folyamat a SiC eszközök fontos összetevője.

Népszerű tags: szilícium-karbid gyártó ipar, Kína szilíciumkarbid gyártó ipar gyártói, beszállítói, tűzálló a shuttle kemencékhez, tűzálló termékek, tűzálló importőr, A tűzálló szigetelő, tűzálló kemence, tűzálló a cementipar számára